建议选择单管IGBT，IGBT是第四代逆变技术。是在第三代MOS场效应管的基础上升级改进的。技术比MOS管成熟，焊机性能稳定。
民用单管IGBT代表品牌佳士品牌佳士宝系列。
MOS场效应管代表品牌瑞凌品牌瑞凌系列。
区别如下:
1、功率模块是泛指，指的是变频器主功率部分，包括整流模块，逆变模块。整流模块一般指的是变频器选用的整流桥器件，IGBT模块是逆变专用的功率器件，这两个都是元件，由专门的供应商提供，变频器厂家使用设计，这两种统称为功率模块。2、驱动模块是指IGBT需要开通或关断所用的专用驱动电路或组件3、普通的变频器需要1套整流模块和1套IGBT模块，但一些变频器只需要IGBT模块，整流的功能由IGBT模块完成，所以需要2套IGBT模块。但驱动模块是必须的。
变频器是由整流单元，直流母线，逆变单元，控制电路和固件组成。
IGBT就是逆变单元和主动整流单元的基础电力元件。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，中文叫绝缘栅双极型晶体管，是变频器的重要组成部分，也是变频器经常损坏的元件，大功率的IGBT一般和它的驱动电路是一体的，里面还有测温元件等等。
igbt壳温指的是Tc，就是IGBT外部包封的温度。
1、Tj是指工作温度范围，存储温度范围，（PN）结温（即管芯内部温度）范围；是衡量芯片受环境温度影响的参数，你问的就是它的PN结温是150度。
2、Tj通俗一点说就是IGBT管子内部的温度，另外有一个参数是Tc，这个指的是壳温，就是IGBT外部包封的温度。
3、比如说我要在-20度到80度之间使用芯片，那么符合条件的芯片的工作温度就必须使用工业级芯片-40～85度。
GT40RR22是美的WK2102电磁炉的大功率控制管。GT40RR22可以用FGA25N120AND/FGA25N120ANTD代换GT40RR22参数
Id: 40A
Vd: 1350V
Vce: 1.8V
型号
40RR22
封装3P
批号17
IGBT类型 电磁炉
配置类型 加强型
集射极击穿电压(VCEO)1200
最大集电极电流(Icm) 40
工作温度范围 150
安装类型 直插
应用领域 家用电器